三、內(nèi)存術語解釋
BANK：BANK是指內(nèi)存插槽de計算單位(也有人稱為記憶庫)，它是計算機系統(tǒng)與內(nèi)存間資料匯流de基本運作單位.
內(nèi)存de速度：內(nèi)存de速度是以每筆CPU與內(nèi)存間數(shù)據(jù)處理耗費de時間來計算，為總線循環(huán)(bus cycle)以奈秒(ns)為單位.
內(nèi)存模塊 (Memory Module)：提到內(nèi)存模塊是指一個印刷電路板表面上有鑲嵌數(shù)個記憶體芯片chips，而這內(nèi)存芯片通常是DRAM芯片，但近來系統(tǒng)設計也有使用快取隱藏式芯片鑲嵌在內(nèi)存模塊上內(nèi)存模塊是安裝在PC de主機板上de專用插槽(Slot)上鑲嵌在Module上DRAM芯片(chips)de數(shù)量和個別芯片(chips)de容量，是決定內(nèi)存模塊de 設計de主要因素.
SIMM (Single In-line Memory Module)：電路板上面焊有數(shù)目不等de記憶IC，可分為以下2種型態(tài)：
72PIN：72腳位de單面內(nèi)存模塊是用來支持32位de數(shù)據(jù)處理量.
30PIN：30腳位de單面內(nèi)存模塊是用來支持8位de數(shù)據(jù)處理量.
DIMM (Dual In-line Memory Module)：（168PIN） 用來支持64位或是更寬de總線，而且只用3.3伏特de電壓，通常用在64位de桌上型計算機或是服務器.
RIMM：RIMM模塊是下一世代de內(nèi)存模塊主要規(guī)格之一，它是Intel公司于1999年推出芯片組所支持de內(nèi)存模塊，其頻寬高達1.6Gbyte/sec.
SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) （144PIN）： 這是一種改良型deDIMM模塊，比一般deDIMM模塊來得小，應用于筆記型計算機、列表機、傳真機或是各種終端機等.
PLL： 為鎖相回路,用來統(tǒng)一整合時脈訊號,使內(nèi)存能正確de存取資料.
Rambus 內(nèi)存模塊 （184PIN）： 采用Direct RDRAMde內(nèi)存模塊，稱之為RIMM模塊，該模塊有184pin腳，資料de輸出方式為串行，與現(xiàn)行使用deDIMM模塊168pin，并列輸出de架構(gòu)有很大de差異.
6層板和4層板(6 layers V.S. 4 layers)： 指de是電路印刷板PCB Printed Circuit Board用6層或4層de玻璃纖維做成，通常SDRAM會使用6層板，雖然會增加PCBde成本但卻可免除噪聲de干擾，而4層板雖可降低PCBde成本但效能較差.
Register：是緩存器de意思,其功能是能夠在高速下達到同步de目de.
SPD：為Serial Presence Detect de縮寫，它是燒錄在EEPROM內(nèi)de碼，以往開機時BIOS必須偵測memory，但有了SPD就不必再去作偵測de動作，而由BIOS直接讀取 SPD取得內(nèi)存de相關資料.
Parity和ECCde比較：同位檢查碼(parity check codes)被廣泛地使用在偵錯碼(error detection codes)上，他們增加一個檢查位給每個資料de字元(或字節(jié))，并且能夠偵測到一個字符中所有奇(偶)同位de錯誤，但Parity有一個缺點，當計算機查到某個Byte有錯誤時，并不能確定錯誤在哪一個位，也就無法修正錯誤.
緩沖器和無緩沖器（Buffer V.S. Unbuffer）：有緩沖器deDIMM 是用來改善時序(timing)問題de一種方法無緩沖器deDIMM雖然可被設計用于系統(tǒng)上，但它只能支援四條DIMM.若將無緩沖器deDIMM用于速度為100Mhzde主機板上de話，將會有存取不良de影響.而有緩沖器deDIMM則可使用四條以上de內(nèi)存，但是若使用de緩沖器速度不夠快de 話會影響其執(zhí)行效果.換言之，有緩沖器deDIMM雖有速度變慢之虞，但它可以支持更多DIMMde使用.
自我充電 (Self-Refresh)：DRAM內(nèi)部具有獨立且內(nèi)建de充電電路于一定時間內(nèi)做自我充電， 通常用在筆記型計算機或可攜式計算機等de省電需求高de計算機.
預充電時間 (CAS Latency)：通常簡稱CL.例如CL=3，表示計算機系統(tǒng)自主存儲器讀取第一筆資料時，所需de準備時間為3個外部時脈 (System clock).CL2與CL3de差異僅在第一次讀取資料所需準備時間，相差一個時脈，對整個系統(tǒng)de效能并無顯著影響.
時鐘信號 (Clock)：時鐘信號是提供給同步內(nèi)存做訊號同步之用，同步記憶體de存取動作必需與時鐘信號同步.
電子工程設計發(fā)展聯(lián)合會議 (JEDEC)：JEDEC大部分是由從事設計、發(fā)明de制造業(yè)尤以有關計算機記憶模塊所組成de一個團體財團，一般工業(yè)所生產(chǎn)de記憶體產(chǎn)品大多以JEDEC所制定de標準為評量.
只讀存儲器ROM (Read Only Memory)：ROM是一種只能讀取而不能寫入資料之記 W體，因為這個特所以最常見de就是主機板上de BIOS (基本輸入/輸出系統(tǒng)Basic Input/Output System)因為BISO是計算機開機必備de基本硬件設定用來與外圍做為低階通信接口，所以BISO之程式燒錄于ROM中以避免隨意被清除資料（計算機基礎知識，電腦知識入門學習，請到http://www.pc6c.com電腦知識網(wǎng)）.
EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM)：為一種將資料寫入后即使在電源關閉de情況下，也可以保留一段相當長de時間，且寫入資料時不需要另外提高電壓，只要寫入某一些句柄，就可以把資料寫入內(nèi)存中了.
EPROM (Erasable Programmable ROM)：為一種可以透過紫外線de照射將其內(nèi)部de資料清除掉之后，再用燒錄器之類de設備將資料燒錄進 EPROM內(nèi)，優(yōu)點為可以重復de燒錄資料.
程序規(guī)畫de只讀存儲器 (PROM)：是一種可存程序de內(nèi)存，因為只能寫一次資料，所以它一旦被寫入資料若有錯誤，是無法改變de且無法再存其它資料，所以只要寫錯資料這顆內(nèi)存就無法回收重新使用.
MASK ROM：是制造商為了要大量生產(chǎn)，事先制作一顆有原始數(shù)據(jù)deROM或EPROM當作樣本，然后再大量生產(chǎn)與樣本一樣de ROM，這一種做為大量生產(chǎn)deROM樣本就是MASK ROM，而燒錄在MASK ROM中de資料永遠無法做修改.
隨機存取內(nèi)存RAM ( Random Access Memory)：RAM是可被讀取和寫入de內(nèi)存，我們在寫資料到RAM記憶體時也同時可從RAM讀取資料，這和ROM內(nèi)存有所不同.但是RAM必須由穩(wěn)定流暢de電力來保持它本身de穩(wěn)定性，所以一旦把電源關閉則原先在RAM里頭de資料將隨之消失.
動態(tài)隨機存取內(nèi)存 DRAM (Dynamic Random Access Memory)：DRAM 是Dynamic Random Access Memory de縮寫，通常是計算機內(nèi)de主存儲器，它是而用電容來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，所以內(nèi)存內(nèi)de資料須持續(xù)地存取不然
資料會不見.
FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)：是改良deDRAM，大多數(shù)為72IPN或30PINde模塊，F(xiàn)PM 將記憶體內(nèi)部隔成許多頁數(shù)Pages，從512 bite 到數(shù) Kilobytes 不等，它特色是不需等到重新讀取時，就可讀取各page內(nèi)de資
料.
EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)：EDOde存取速度比傳統(tǒng)DRAM快10%左右，比FPM快12到30倍一般為72PIN、168PINde模塊.
SDRAM：Synchronous DRAM 是一種新deDRAM架構(gòu)de技術；它運用晶片內(nèi)declock使輸入及輸出能同步進行.所謂clock同步是指記憶體時脈與CPUde時脈能同步存取資料.SDRAM節(jié)省執(zhí)行指令及數(shù)據(jù)傳輸de時間，故可提升計算機效率.
DDR：DDR 是一種更高速de同步內(nèi)存，DDR SDRAM為168PINdeDIMM模塊，它比SDRAMde傳輸速率更快， DDRde設計是應用在服務器、工作站及數(shù)據(jù)傳輸?shù)容^高速需求之系統(tǒng).
DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM)：DDRII 是DDR原有deSLDRAM聯(lián)盟于1999年解散后將既有de研發(fā)成果與DDR整合之后de未來新標準.DDRIIde詳細規(guī)格目前尚未確定.
DRDRAM (Direct Rambus DRAM)：是下一代de主流內(nèi)存標準之一，由Rambus 公司所設計發(fā)展出來，是將所有de接腳都連結(jié)到一個共同deBus，這樣不但可以減少控制器de體積，已可以增加資料傳送de效率.
RDRAM (Rambus DRAM)：是由Rambus公司獨立設計完成，它de速度約一般DRAMde10倍以上，雖有這樣強de效能，但使用后內(nèi)存控制器需要相當大de改變，所以目前這一類de內(nèi)存大多使用在游戲機器或者專業(yè)de圖形加速適配卡上.
VRAM (Video RAM)：與DRAM最大de不同在于其有兩組輸出及輸入口，所以可以同時一邊讀入，一邊輸出資料.
WRAM (Window RAM)：屬于VRAMde改良版，其不同之處在于其控制線路有一、二十組de輸入/輸出控制器，并采用EDOde資料存取模式
MDRAM (Multi-Bank RAM)：MIDRAM de內(nèi)部分成數(shù)個各別不同de小儲存庫 (BANK)，也就是數(shù)個屬立de小單位矩陣所構(gòu)成.每個儲存庫之間以高于外部de資料速度相互連接，其應用于高速顯示卡或加速卡中.
靜態(tài)隨機處理內(nèi)存 SRAM (Static Random Access Memory)：SRAM 是Static Random Access Memory de縮寫，通常比一般de動態(tài)隨機處理內(nèi)存處理速度更快更穩(wěn)定.所謂靜態(tài)de意義是指內(nèi)存資料可以常駐而不須隨時存取.因為此種特性，靜態(tài)隨機處理內(nèi)存通常被用來做高速緩存.
Async SRAM：為異步SRAM這是一種較為舊型deSRAM，通常被用于電腦上de Level 2 Cache上，它在運作時獨立于計算機de系統(tǒng)時脈外.
Sync SRAM：為同步SRAM，它de工作時脈與系統(tǒng)是同步de.
SGRAM (Synchronous Graphics RAM)：是由SDRAM再改良而成以區(qū)塊Block為單位，個別地取回或修改存取de資料，減少內(nèi)存整體讀寫de次數(shù)增加繪圖控制器.
高速緩存 (Cache Ram)：為一種高速度de內(nèi)存是被設計用來處理運作CPU.快取記憶體是利用 SRAM de顆粒來做內(nèi)存.因連接方式不同可分為一是外接方式(External)另一種為內(nèi)接方式(Internal).外接方式是將內(nèi)存放在主機板上也稱為 Level 1 Cache而內(nèi)接方式是將內(nèi)存放在CPU中稱為Leve
l 2 Cache.
PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association)：是一種標準de卡片型擴充接口，多半用于筆記型計算機上或是其它外圍產(chǎn)品，其種類可以分為：
Type 1：3.3mmde厚度，常作成SRAM、Flash RAM de記憶卡以及最近打印機所使用deDRAM記憶卡.
Type 2：5.5mmde厚度，通常設計為筆記計算機所使用de調(diào)制解調(diào)器接口(Modem).
Type 3：10.5mmde厚度，被運用為連接硬盤deATA接口.
Type 4：小型dePCMCIA卡，大部用于數(shù)字相機.
FLASH：Flash內(nèi)存比較像是一種儲存裝置，因為當電源關掉后儲存在Flash內(nèi)存中de資料并不會流失掉，在寫入資料時必須先將原本de資料清除掉，然后才能再寫入新de資料，缺點為寫入資料de速度太慢.
重新標示過de內(nèi)存模塊（Remark Memory Module）：在內(nèi)存市場許多商家都會販售重新標示過de內(nèi)存模塊，所謂重新標示過de內(nèi)存模塊就是將芯片Chip上de標示變更過，使其所顯示出錯誤 de訊息以提供商家賺取更多de利潤.一般說來，業(yè)者會標示成較快de速度將( -7改成-6)或?qū)]有廠牌de改為有廠牌de.要避免購買到這方面de產(chǎn)品，最佳de方法就是向好聲譽de供貨商來購買頂級芯片制造商產(chǎn)品.
內(nèi)存de充電 (Refresh)：主存儲器是DRAM組合而成，其電容需不斷充電以保持資料de正確.一般有2K與4K Refreshde分類，而2K比4K有較快速deRefresh但2K比4K耗電.
BANK：BANK是指內(nèi)存插槽de計算單位(也有人稱為記憶庫)，它是計算機系統(tǒng)與內(nèi)存間資料匯流de基本運作單位.
內(nèi)存de速度：內(nèi)存de速度是以每筆CPU與內(nèi)存間數(shù)據(jù)處理耗費de時間來計算，為總線循環(huán)(bus cycle)以奈秒(ns)為單位.
內(nèi)存模塊 (Memory Module)：提到內(nèi)存模塊是指一個印刷電路板表面上有鑲嵌數(shù)個記憶體芯片chips，而這內(nèi)存芯片通常是DRAM芯片，但近來系統(tǒng)設計也有使用快取隱藏式芯片鑲嵌在內(nèi)存模塊上內(nèi)存模塊是安裝在PC de主機板上de專用插槽(Slot)上鑲嵌在Module上DRAM芯片(chips)de數(shù)量和個別芯片(chips)de容量，是決定內(nèi)存模塊de 設計de主要因素.
SIMM (Single In-line Memory Module)：電路板上面焊有數(shù)目不等de記憶IC，可分為以下2種型態(tài)：
72PIN：72腳位de單面內(nèi)存模塊是用來支持32位de數(shù)據(jù)處理量.
30PIN：30腳位de單面內(nèi)存模塊是用來支持8位de數(shù)據(jù)處理量.
DIMM (Dual In-line Memory Module)：（168PIN） 用來支持64位或是更寬de總線，而且只用3.3伏特de電壓，通常用在64位de桌上型計算機或是服務器.
RIMM：RIMM模塊是下一世代de內(nèi)存模塊主要規(guī)格之一，它是Intel公司于1999年推出芯片組所支持de內(nèi)存模塊，其頻寬高達1.6Gbyte/sec.
SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) （144PIN）： 這是一種改良型deDIMM模塊，比一般deDIMM模塊來得小，應用于筆記型計算機、列表機、傳真機或是各種終端機等.
PLL： 為鎖相回路,用來統(tǒng)一整合時脈訊號,使內(nèi)存能正確de存取資料.
Rambus 內(nèi)存模塊 （184PIN）： 采用Direct RDRAMde內(nèi)存模塊，稱之為RIMM模塊，該模塊有184pin腳，資料de輸出方式為串行，與現(xiàn)行使用deDIMM模塊168pin，并列輸出de架構(gòu)有很大de差異.
6層板和4層板(6 layers V.S. 4 layers)： 指de是電路印刷板PCB Printed Circuit Board用6層或4層de玻璃纖維做成，通常SDRAM會使用6層板，雖然會增加PCBde成本但卻可免除噪聲de干擾，而4層板雖可降低PCBde成本但效能較差.
Register：是緩存器de意思,其功能是能夠在高速下達到同步de目de.
SPD：為Serial Presence Detect de縮寫，它是燒錄在EEPROM內(nèi)de碼，以往開機時BIOS必須偵測memory，但有了SPD就不必再去作偵測de動作，而由BIOS直接讀取 SPD取得內(nèi)存de相關資料.
Parity和ECCde比較：同位檢查碼(parity check codes)被廣泛地使用在偵錯碼(error detection codes)上，他們增加一個檢查位給每個資料de字元(或字節(jié))，并且能夠偵測到一個字符中所有奇(偶)同位de錯誤，但Parity有一個缺點，當計算機查到某個Byte有錯誤時，并不能確定錯誤在哪一個位，也就無法修正錯誤.
緩沖器和無緩沖器（Buffer V.S. Unbuffer）：有緩沖器deDIMM 是用來改善時序(timing)問題de一種方法無緩沖器deDIMM雖然可被設計用于系統(tǒng)上，但它只能支援四條DIMM.若將無緩沖器deDIMM用于速度為100Mhzde主機板上de話，將會有存取不良de影響.而有緩沖器deDIMM則可使用四條以上de內(nèi)存，但是若使用de緩沖器速度不夠快de 話會影響其執(zhí)行效果.換言之，有緩沖器deDIMM雖有速度變慢之虞，但它可以支持更多DIMMde使用.
自我充電 (Self-Refresh)：DRAM內(nèi)部具有獨立且內(nèi)建de充電電路于一定時間內(nèi)做自我充電， 通常用在筆記型計算機或可攜式計算機等de省電需求高de計算機.
預充電時間 (CAS Latency)：通常簡稱CL.例如CL=3，表示計算機系統(tǒng)自主存儲器讀取第一筆資料時，所需de準備時間為3個外部時脈 (System clock).CL2與CL3de差異僅在第一次讀取資料所需準備時間，相差一個時脈，對整個系統(tǒng)de效能并無顯著影響.
時鐘信號 (Clock)：時鐘信號是提供給同步內(nèi)存做訊號同步之用，同步記憶體de存取動作必需與時鐘信號同步.
電子工程設計發(fā)展聯(lián)合會議 (JEDEC)：JEDEC大部分是由從事設計、發(fā)明de制造業(yè)尤以有關計算機記憶模塊所組成de一個團體財團，一般工業(yè)所生產(chǎn)de記憶體產(chǎn)品大多以JEDEC所制定de標準為評量.
只讀存儲器ROM (Read Only Memory)：ROM是一種只能讀取而不能寫入資料之記 W體，因為這個特所以最常見de就是主機板上de BIOS (基本輸入/輸出系統(tǒng)Basic Input/Output System)因為BISO是計算機開機必備de基本硬件設定用來與外圍做為低階通信接口，所以BISO之程式燒錄于ROM中以避免隨意被清除資料（計算機基礎知識，電腦知識入門學習，請到http://www.pc6c.com電腦知識網(wǎng)）.
EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM)：為一種將資料寫入后即使在電源關閉de情況下，也可以保留一段相當長de時間，且寫入資料時不需要另外提高電壓，只要寫入某一些句柄，就可以把資料寫入內(nèi)存中了.
EPROM (Erasable Programmable ROM)：為一種可以透過紫外線de照射將其內(nèi)部de資料清除掉之后，再用燒錄器之類de設備將資料燒錄進 EPROM內(nèi)，優(yōu)點為可以重復de燒錄資料.
程序規(guī)畫de只讀存儲器 (PROM)：是一種可存程序de內(nèi)存，因為只能寫一次資料，所以它一旦被寫入資料若有錯誤，是無法改變de且無法再存其它資料，所以只要寫錯資料這顆內(nèi)存就無法回收重新使用.
MASK ROM：是制造商為了要大量生產(chǎn)，事先制作一顆有原始數(shù)據(jù)deROM或EPROM當作樣本，然后再大量生產(chǎn)與樣本一樣de ROM，這一種做為大量生產(chǎn)deROM樣本就是MASK ROM，而燒錄在MASK ROM中de資料永遠無法做修改.
隨機存取內(nèi)存RAM ( Random Access Memory)：RAM是可被讀取和寫入de內(nèi)存，我們在寫資料到RAM記憶體時也同時可從RAM讀取資料，這和ROM內(nèi)存有所不同.但是RAM必須由穩(wěn)定流暢de電力來保持它本身de穩(wěn)定性，所以一旦把電源關閉則原先在RAM里頭de資料將隨之消失.
動態(tài)隨機存取內(nèi)存 DRAM (Dynamic Random Access Memory)：DRAM 是Dynamic Random Access Memory de縮寫，通常是計算機內(nèi)de主存儲器，它是而用電容來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，所以內(nèi)存內(nèi)de資料須持續(xù)地存取不然
資料會不見.
FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)：是改良deDRAM，大多數(shù)為72IPN或30PINde模塊，F(xiàn)PM 將記憶體內(nèi)部隔成許多頁數(shù)Pages，從512 bite 到數(shù) Kilobytes 不等，它特色是不需等到重新讀取時，就可讀取各page內(nèi)de資
料.
EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)：EDOde存取速度比傳統(tǒng)DRAM快10%左右，比FPM快12到30倍一般為72PIN、168PINde模塊.
SDRAM：Synchronous DRAM 是一種新deDRAM架構(gòu)de技術；它運用晶片內(nèi)declock使輸入及輸出能同步進行.所謂clock同步是指記憶體時脈與CPUde時脈能同步存取資料.SDRAM節(jié)省執(zhí)行指令及數(shù)據(jù)傳輸de時間，故可提升計算機效率.
DDR：DDR 是一種更高速de同步內(nèi)存，DDR SDRAM為168PINdeDIMM模塊，它比SDRAMde傳輸速率更快， DDRde設計是應用在服務器、工作站及數(shù)據(jù)傳輸?shù)容^高速需求之系統(tǒng).
DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM)：DDRII 是DDR原有deSLDRAM聯(lián)盟于1999年解散后將既有de研發(fā)成果與DDR整合之后de未來新標準.DDRIIde詳細規(guī)格目前尚未確定.
DRDRAM (Direct Rambus DRAM)：是下一代de主流內(nèi)存標準之一，由Rambus 公司所設計發(fā)展出來，是將所有de接腳都連結(jié)到一個共同deBus，這樣不但可以減少控制器de體積，已可以增加資料傳送de效率.
RDRAM (Rambus DRAM)：是由Rambus公司獨立設計完成，它de速度約一般DRAMde10倍以上，雖有這樣強de效能，但使用后內(nèi)存控制器需要相當大de改變，所以目前這一類de內(nèi)存大多使用在游戲機器或者專業(yè)de圖形加速適配卡上.
VRAM (Video RAM)：與DRAM最大de不同在于其有兩組輸出及輸入口，所以可以同時一邊讀入，一邊輸出資料.
WRAM (Window RAM)：屬于VRAMde改良版，其不同之處在于其控制線路有一、二十組de輸入/輸出控制器，并采用EDOde資料存取模式
MDRAM (Multi-Bank RAM)：MIDRAM de內(nèi)部分成數(shù)個各別不同de小儲存庫 (BANK)，也就是數(shù)個屬立de小單位矩陣所構(gòu)成.每個儲存庫之間以高于外部de資料速度相互連接，其應用于高速顯示卡或加速卡中.
靜態(tài)隨機處理內(nèi)存 SRAM (Static Random Access Memory)：SRAM 是Static Random Access Memory de縮寫，通常比一般de動態(tài)隨機處理內(nèi)存處理速度更快更穩(wěn)定.所謂靜態(tài)de意義是指內(nèi)存資料可以常駐而不須隨時存取.因為此種特性，靜態(tài)隨機處理內(nèi)存通常被用來做高速緩存.
Async SRAM：為異步SRAM這是一種較為舊型deSRAM，通常被用于電腦上de Level 2 Cache上，它在運作時獨立于計算機de系統(tǒng)時脈外.
Sync SRAM：為同步SRAM，它de工作時脈與系統(tǒng)是同步de.
SGRAM (Synchronous Graphics RAM)：是由SDRAM再改良而成以區(qū)塊Block為單位，個別地取回或修改存取de資料，減少內(nèi)存整體讀寫de次數(shù)增加繪圖控制器.
高速緩存 (Cache Ram)：為一種高速度de內(nèi)存是被設計用來處理運作CPU.快取記憶體是利用 SRAM de顆粒來做內(nèi)存.因連接方式不同可分為一是外接方式(External)另一種為內(nèi)接方式(Internal).外接方式是將內(nèi)存放在主機板上也稱為 Level 1 Cache而內(nèi)接方式是將內(nèi)存放在CPU中稱為Leve
l 2 Cache.
PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association)：是一種標準de卡片型擴充接口，多半用于筆記型計算機上或是其它外圍產(chǎn)品，其種類可以分為：
Type 1：3.3mmde厚度，常作成SRAM、Flash RAM de記憶卡以及最近打印機所使用deDRAM記憶卡.
Type 2：5.5mmde厚度，通常設計為筆記計算機所使用de調(diào)制解調(diào)器接口(Modem).
Type 3：10.5mmde厚度，被運用為連接硬盤deATA接口.
Type 4：小型dePCMCIA卡，大部用于數(shù)字相機.
FLASH：Flash內(nèi)存比較像是一種儲存裝置，因為當電源關掉后儲存在Flash內(nèi)存中de資料并不會流失掉，在寫入資料時必須先將原本de資料清除掉，然后才能再寫入新de資料，缺點為寫入資料de速度太慢.
重新標示過de內(nèi)存模塊（Remark Memory Module）：在內(nèi)存市場許多商家都會販售重新標示過de內(nèi)存模塊，所謂重新標示過de內(nèi)存模塊就是將芯片Chip上de標示變更過，使其所顯示出錯誤 de訊息以提供商家賺取更多de利潤.一般說來，業(yè)者會標示成較快de速度將( -7改成-6)或?qū)]有廠牌de改為有廠牌de.要避免購買到這方面de產(chǎn)品，最佳de方法就是向好聲譽de供貨商來購買頂級芯片制造商產(chǎn)品.
內(nèi)存de充電 (Refresh)：主存儲器是DRAM組合而成，其電容需不斷充電以保持資料de正確.一般有2K與4K Refreshde分類，而2K比4K有較快速deRefresh但2K比4K耗電.
